商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -42A
- RDS(on) 在 VGS = -10V 时 < 11mΩ
- RDS(on) 在 VGS = -4.5V 时 < 16mΩ
- 低栅极电荷和导通电阻
- 快速开关速度
- 先进的沟槽技术
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理