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NTGS3455T1G-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NTGS3455T1G-VB商品编号
C5137394商品封装
TSOP-6包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 49mΩ@10V,4.8A |
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