温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
IRFS3607TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块，如电源管理、电动车辆和工业自动化等领域。TO263；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFS3607TRPBF-VB商品编号
C5137403商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,120A |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥7.63
10+￥6.52
50+￥5.33￥266.5
100+￥4.64￥232
500+￥4.34￥217
800+￥4.2￥210
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
购买数量(50个/管，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个50个/管
近期成交1单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
