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RU3560L-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RU3560L-VB商品编号
C5137415商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V,55A |
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