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MTP23P06VG-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MTP23P06VG-VB商品编号
C5137436商品封装
TO-220AB包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 62mΩ@10V,20A |
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