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CEM4435-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CEM4435-VB商品编号
C5137442商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,9A |
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