7N20-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:10A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252;N—Channel沟道,200V;10A;RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
7N20-VB商品编号
C5137444商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.45克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 245mΩ@10V,10A |
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