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AOT424L-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AOT424L-VB商品编号
C5137452商品封装
TO-220AB包装方式
管装
商品毛重
2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2mΩ@10V,150A |
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