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AMD540CE-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AMD540CE-VB
- 商品编号
- C5137439
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.248nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
- NTD5406NT4G-VB
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- IRLR7843TRPBF&-2-VB
- IRF7328TRPBF&-19-VB
- AO4815&-19-VB
- 0805CT-3N9EKTS
- DF30FC-24DS-0.4V(81)
- SM3ZS067U410-NUT1-R1200
- RV-8263-C7-32.768KHZ-20PPM-TA-QA
- MAX2679ENS+T