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4N65 TO220F-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 4N65 TO220F-VB
- 商品编号
- C5137410
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温150°C
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关