SM4301PSKC-TRG-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道MOSFET功率场效应管,采用Trench工艺,适用于需要高功率和高效能耗的应用场景,包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-18A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SM4301PSKC-TRG-VB商品编号
C5137412商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,18A |
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