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CMU40N03-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:53A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于LED照明控制、电动工具、电池管理系统等领域。TO251；N—Channel沟道,30V；50A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CMU40N03-VB商品编号
C5137378商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,53A |
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