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IRFH3702TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFH3702TRPBF-VB
- 商品编号
- C5137381
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RC407采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -18A
- 当栅源电压VGS~~- 10V时，导通电阻RDS(ON)典型值为60mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON)典型值为70mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用