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IRFH3702TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFH3702TRPBF-VB商品编号
C5137381商品封装
DFN-EP(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@4.5V,50A |
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