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STS8201-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款是双N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高效功率管理和电路控制的领域，尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STS8201-VB
- 商品编号
- C5137387
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V,3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RC80N03是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 RC80N03符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术