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ACE2302BBM+H-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ACE2302BBM+H-VB
- 商品编号
- C5137379
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
RC409采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -30A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 50 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器