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SI2304DDS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- N沟道,30V,3.6A,60mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2304DDS-T1-GE3
- 商品编号
- C56372
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 直流-直流转换器