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BUK9Y8R7-60E,115
1个N沟道 耐压:60V 电流:86A
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- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9Y8R7-60E,115
- 商品编号
- C550052
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 147W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.57nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |