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NX138BKR
1个N沟道 耐压:60V 电流:265mA
- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX138BKR
- 商品编号
- C551588
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 265mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 490pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.2pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单