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NX3008PBKV,115
2个P沟道 耐压:30V 电流:220mA
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- 描述
- 双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX3008PBKV,115
- 商品编号
- C551602
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 720pC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
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