温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NX3008CBKV,115
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 互补N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX3008CBKV,115
- 商品编号
- C551595
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA；400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 390mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 680pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的互补N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
-低阈值电压-极快的开关速度-沟槽MOSFET技术-高达2 kV的静电放电保护
应用领域
-电平转换器-电源转换器-负载开关-开关电路