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NX138AKR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NX138AKR

1个N沟道 耐压:60V 电流:190mA

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描述
N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
NX138AKR
商品编号
C551585
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.018克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)190mA
导通电阻(RDS(on))4.5Ω@10V,190mA
耗散功率(Pd)265mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)1.4nC@10V
输入电容(Ciss)20pF@30V
反向传输电容(Crss)1.5pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
起订量:20 个3000个/圆盘

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