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NX1029XH实物图
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NX1029XH

1个N沟道+1个P沟道 电流:170mA

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描述
采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
NX1029XH
商品编号
C551584
商品封装
SOT-666​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V;50V
连续漏极电流(Id)170mA
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V,100mA
耗散功率(Pd)330mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)350pC@5V
输入电容(Ciss)24pF@25V
反向传输电容(Crss)1.3pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)4.5pF;7pF

数据手册PDF

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(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个4000个/圆盘

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