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NX1029XH
1个N沟道+1个P沟道 电流:170mA
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX1029XH
- 商品编号
- C551584
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5pF；7pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的互补N/P沟道增强型场效应晶体管(FET)，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- ESD保护高达2 kV(N沟道)和1 kV(P沟道)
应用领域
- 电平转换器
- 电源转换器
- 负载开关
- 开关电路