温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK9Y2R8-40HX
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用最新的沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，封装在坚固的LFPAK56封装中。该产品经过全面设计和认证，可满足AEC-Q101要求，提供高性能和耐用性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9Y2R8-40HX
- 商品编号
- C550046
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 172W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.66V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 709pF |
商品概述
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用坚固的LFPAK56封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具备高性能和耐用性。
商品特性
- 完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 额定温度达175 °C，适用于对散热要求高的环境
- Trench 9超结技术：
- 缩小的单元间距可在相同封装尺寸下实现更高的功率密度和效率，同时降低导通电阻RDSon
- 与标准TrenchMOS相比，改善了安全工作区（SOA）和雪崩能力
- 紧密的VGS(th)限值使MOSFET易于并联
- LFPAK鸥翼引脚：
- 具有高电路板级可靠性，能在热循环过程中吸收机械应力，这与传统QFN封装不同
- 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接润湿，可形成良好的机械焊点
- LFPAK铜夹技术：
- 提高了可靠性，降低了热阻Rth和导通电阻RDSon
- 增加了最大电流承载能力，改善了电流分布
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和电磁阀控制
- 启停微混合动力应用
- 变速器控制
- 超高性能功率开关