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BUK9Y14-40B,115

1个N沟道 耐压:40V 电流:56A

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描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用高性能汽车(HPA)TrenchMOS技术。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,可用于汽车关键应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK9Y14-40B,115
商品编号
C550037
商品封装
SOT-669​
包装方式
编带
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)56A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@5V
耗散功率(Pd)85W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)21nC@5V
输入电容(Ciss)1.8nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用恩智浦高性能汽车(HPA)沟槽MOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 低导通电阻,传导损耗低
  • 适用于逻辑电平栅极驱动源
  • 符合Q101标准
  • 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境

应用领域

  • 安全气囊
  • 汽车传动系统控制
  • 燃油泵与喷射系统
  • 汽车防抱死制动系统(ABS)
  • 柴油喷射系统
  • 电机、灯具和螺线管

数据手册PDF