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BUK9Y12-100E,115
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9Y12-100E,115
- 商品编号
- C550034
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.973nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |