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BUK9K5R6-30EX
2个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双 Power-SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K5R6-30EX
- 商品编号
- C550002
- 商品封装
- LFPAK56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.190969克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.48nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 316pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 391pF |