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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK9M24-60EX

1个N沟道 耐压:60V 电流:32A

描述
逻辑电平N沟道MOSFET,采用TrenchMOS技术,封装为LFPAK33 (Power33)。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK9M24-60EX
商品编号
C550014
商品封装
LFPAK33-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.076克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@5V,10A
耗散功率(Pd)55W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)12.4nC@5V
输入电容(Ciss)1.469nF@25V
反向传输电容(Crss)92pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用TrenchMOS技术、LFPAK33(Power33)封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • 符合Q101标准
  • 具备重复雪崩额定值
  • 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
  • 真正的逻辑电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V

应用领域

  • 12 V汽车系统
  • 电机、灯具和电磁阀控制
  • 变速箱控制
  • 超高性能功率开关

数据手册PDF