BUK9M5R0-40HX
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 汽车级逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK33封装和Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已通过AEC-Q101认证,适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9M5R0-40HX
- 商品编号
- C550021
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.631nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用Trench 9 TrenchMOS技术、LFPAK33封装的汽车级逻辑电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准
- Trench 9超结技术:低功耗、高功率密度
- LFPAK铜夹封装技术:高耐用性和可靠性
- 鸥翼型引脚,具备高可制造性和自动光学检测(AOI)兼容性
- 具备重复雪崩额定值
应用领域
- 12 V汽车系统
- 动力总成、底盘、车身和信息娱乐应用
- 中/低功率电机驱动
- DC-DC系统
- LED照明
相似推荐
其他推荐
