温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK9M4R3-40HX
1个N沟道 耐压:40V 电流:95A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 汽车级逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK33 封装和 Trench 9 TrenchMOS 技术。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9M4R3-40HX
- 商品编号
- C550020
- 商品封装
- SOT-1210
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V,95A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.985nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 491pF |