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BUK9M19-60EX
1个N沟道 耐压:60V 电流:38A
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- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET,采用TrenchMOS技术,采用LFPAK33(Power33)封装。该产品已通过AEC Q101标准认证,适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9M19-60EX
- 商品编号
- C550012
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.814nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |