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BUK9M10-30EX
1个N沟道 耐压:30V 电流:54A
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- 描述
- 采用TrenchMOS技术、LFPAK33（Power33）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。该产品已根据AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9M10-30EX
- 商品编号
- C550006
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.249nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |