WNSC6D10650X6Q-HXY

WNSC6D10650X6Q-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料特性，具备快速恢复、低开关损耗及优异的高温工作能力，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与高频整流场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC6D10650X6Q-HXY

商品编号

C53467999

商品封装

TO-220F-2L​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)