VS3C04ET07T-M3-HXY

VS3C04ET07T-M3-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为4A，最大反向电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.53V，可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。其基于碳化硅材料，具备快速恢复特性与低导通损耗，在高频开关环境中表现出稳定的电气性能，适用于高效率电源转换、功率因数校正以及各类需要高耐压与高可靠性的整流电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS3C04ET07T-M3-HXY

商品编号

C53467992

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.076克(g)