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UH090NG-S
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，低导通电阻，散热良好
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- 描述
- N管/100V/15A/90MΩ/(典型75MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- UH090NG-S
- 商品编号
- C53373810
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.029nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。它可用于广泛的应用场景。
商品特性
- Vds = 100V，Id = 15A，Rds(on) < 90mΩ @ Vgs = 10V
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（Rds(on)）
- 出色的封装，散热性能良好