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DOP50N10P
N沟道MOSFET采用先进平面技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N管/100V/50A/22MΩ/(典型18MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP50N10P
- 商品编号
- C53373828
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.738克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- V_DS = 100V，I_D = 50A，R_DS(ON) < 22mΩ，V_GS = 10V
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 封装散热性能良好