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DO2302H-Q
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热良好
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- 描述
- N管/20V/2.3A/65MΩ/(典型53MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2302H-Q
- 商品编号
- C53373883
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 670mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 139pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.3A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 65mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 优秀的封装，散热性能良好