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PD3R5NG-B
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- N管/40V/120A/3.5MΩ/(典型2.8MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- PD3R5NG-B
- 商品编号
- C53373819
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 357pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 431pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻，同时具备低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 120A，RDS(ON) < 3.5mΩ（在VGS = 10V时，典型值为2.8mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 出色的封装，散热性能良好