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UD015PG-C
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- P管/40V/45A/12MΩ/(典型10MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- UD015PG-C
- 商品编号
- C53373811
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -45A，当栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ（典型值：10mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，具备良好的散热性能