温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PB004NG
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，散热性好
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N管/25V/100A/4MΩ/(典型3.2MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- PB004NG
- 商品编号
- C53373812
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 383pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VD5 = 25V，ID = 100A，在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 4mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3