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PC2R4NG
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- N管/30V/180A/2.4MΩ/(典型2MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- PC2R4NG
- 商品编号
- C53373817
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.929nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 564pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 681pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 180A，RDS(on) < 2.4mΩ（在VGS = 10V时）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好