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UD016NG
N沟道MOSFET采用先进沟槽技术和设计，具备低栅极电荷和出色散热性能
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- 描述
- N管/40V/30A/13MΩ/(典型10MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- UD016NG
- 商品编号
- C53373806
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为40V，漏极电流（ID）为30A，在栅源电压（VGS）为10V时，导通电阻RDS(ON) < 13mΩ（典型值为10mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 出色的封装，散热性能良好