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SI2301-GM
P沟道 20V 2.3A
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- 描述
- SI2301‑GM，SOT‑23，P沟道MOS管。-内置体二极管，用于电源开关、电池供电回路控制。
- 品牌名称
- GMIC(绿微)
- 商品型号
- SI2301-GM
- 商品编号
- C53261040
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035821克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
Sl2301是一款高压电池密度沟槽P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的导通电阻和效率。