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AO3400
N沟道 30V 5.8A
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- 描述
- AO3400，SOT‑23，N沟道MOS管。-内置体二极管，用于电源开关、LED驱动、DC‑DC回路。
- 品牌名称
- GMIC(绿微)
- 商品型号
- AO3400
- 商品编号
- C53261042
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
该器件采用先进沟槽技术，提供优异的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。此器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压30V，漏极电流6A
- 栅源电压10V时，导通电阻小于20mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充