立创商城logo
购物车0
FS20N06AD实物图
  • FS20N06AD商品缩略图
  • FS20N06AD商品缩略图
  • FS20N06AD商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FS20N06AD

N沟道增强型MOS场效应管,低导通电阻,适用于负载开关、升压转换和电源管理

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
FS20N06AD
商品编号
C53184426
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.44244克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V
耗散功率(Pd)27.7W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)20.3nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.148nF
反向传输电容(Crss)49.4pF
工作温度-
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)58.5pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低导通电阻
  • R_DS(ON) = 26mΩ (典型值) @ V_GS = 10V
  • R_DS(ON) = 33mΩ (典型值) @ V_GS = 4.5V

应用领域

  • 负载开关
  • DC/DC转换器
  • 电源管理

数据手册PDF