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ZH619A0-TR

高压、高速半桥栅极驱动器，可驱动高边和低边N沟道功率MOSFET，内置欠压保护和死区控制电路

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描述: 高压半桥栅极驱动器、600V高压、具有高边和低边输入
品牌名称: Semiment(赛卓)
商品型号: ZH619A0-TR
商品编号: C53184468
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.158667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	500mA
	拉电流(IOH)	300mA
	工作电压	8V~20V
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	50uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

一款高压、高速半桥栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT。其浮动通道设计支持驱动配置于高边的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达600V。该器件具备独立的高边和低边输入，以及两个输出通道，内部集成了死区时间以防止交叉传导。高边与低边输出由各自的输入独立控制，且均内置欠压保护功能。

商品特性

驱动高边和低边N沟道功率MOSFET
高端采用悬浮自举电源设计，耐压可达625V
输出电流能力为 10.3 A / -0.5 A
逻辑输入电平兼容 3.3 V / 5 V / 15 V
内置欠压保护功能
内置死区控制电路（典型值100 ns）
高边输出与高边输入同相
低边输出与低边输入同相
内置闭锁功能以防止直通
封装形式：SOP8

应用领域

半桥和全桥电源功率模块
马达驱动

数据手册PDF

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