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ZH619A0-TR

高压、高速半桥栅极驱动器,可驱动高边和低边N沟道功率MOSFET,内置欠压保护和死区控制电路

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描述
高压半桥栅极驱动器、600V高压、具有高边和低边输入
品牌名称
Semiment(赛卓)
商品型号
ZH619A0-TR
商品编号
C53184468
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.158667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)500mA
拉电流(IOH)300mA
工作电压8V~20V
上升时间(tr)30ns
下降时间(tf)30ns
属性参数值
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)50uA
功能特性交错导通保护;死区时间控制

数据手册PDF