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ZH639D0NU
三相半桥栅极驱动器，可驱动三相N沟道MOS或IGBT，集成自举二极管和拉灌平衡电路，有高边欠压保护和内置闭锁防止直通功能
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- 描述
- 三相栅极驱动器、100V三相、半桥栅极
- 品牌名称
- Semiment(赛卓)
- 商品型号
- ZH639D0NU
- 商品编号
- C53184465
- 商品封装
- QFN-24(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 3 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 5V~12V | |
| 上升时间(tr) | 100ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 100ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV | |
| 静态电流(Iq) | 50uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
ZH639D0是一款用于驱动功率MOSFET和IGBT的低压、高速半桥栅极驱动器。其浮动沟道设计可驱动工作电压达120V的高边配置N沟道功率器件。该芯片集成了三路高边和低边施密特触发器输入，以及三路带有内部自适应死区时间控制的输出通道，有效防止交叉传导。输出级集成了拉灌平衡电路，无需在功率管栅极串联电阻和二极管。高边和低边输出由输入信号独立控制，高边还具备欠压保护功能。24引脚封装提供了独立的功率地（LSS）和逻辑地（COM）引脚，便于PCB布局布线，减少干扰。
商品特性
- 驱动三相N沟道MOSFET或IGBT
- 高边采用悬浮自举电源设计，耐压达120V
- 集成自举二极管
- 集成拉灌平衡电路，无需外接栅极电阻和二极管
- 输出等效电流能力为2.5A
- 最高工作频率达500kHz
- 逻辑输入电平兼容3.3V/5V
- 高边具备欠压保护功能
- 具备依负载自适应死区控制电路
- 内置闭锁功能防止直通
- 封装形式：QFN24，TSSOP20
应用领域
- 电机驱动