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ZH639D0NU

三相半桥栅极驱动器,可驱动三相N沟道MOS或IGBT,集成自举二极管和拉灌平衡电路,有高边欠压保护和内置闭锁防止直通功能

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描述
三相栅极驱动器、100V三相、半桥栅极
品牌名称
Semiment(赛卓)
商品型号
ZH639D0NU
商品编号
C53184465
商品封装
QFN-24(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.07775克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数3
灌电流(IOL)2.5A
拉电流(IOH)2.5A
工作电压5V~12V
上升时间(tr)100ns
下降时间(tf)50ns
属性参数值
传播延迟 tpLH100ns
传播延迟 tpHL100ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.2V
输入低电平(VIL)700mV
静态电流(Iq)50uA
功能特性内置自举二极管;交错导通保护;死区时间控制

数据手册PDF