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IPI70N04S4-06
OptiMOs-T2功率晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1,最高260°C峰值回流温度。175°C工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI70N04S4-06
- 商品编号
- C536998
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@26uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |