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NX1029X

N和P沟道MOSFET,可替代数字晶体管和电平转换器,适用于电源转换电路,ESD保护

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商品型号
NX1029X
商品编号
C52817156
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.025333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)950pC
属性参数值
输入电容(Ciss)36pF
反向传输电容(Crss)6.6pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)11pF
栅极电压(Vgs)±20V

应用领域

-替代数字晶体管、电平转换器-电源转换电路-电池供电系统

数据手册PDF