V30100C-M3/4W-HXY

V30100C-M3/4W-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定平均正向电流（IF）为30A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

V30100C-M3/4W-HXY

商品编号

C52754658

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.8克(g)