MF30H100CTHE3_B/P-HXY

MF30H100CTHE3_B/P-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.82V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、开关模式电源及高频逆变等电路结构中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MF30H100CTHE3_B/P-HXY

商品编号

C52754678

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.494克(g)